我集成电路设计技术跃入世界前列

本报上海11月28日电我国集成电路设计技术跃入世界先进行列。上海交通大学今天宣布，该校“0．25μm深亚微米集成电路设计技术”日前通过教育部主持的专家鉴定，使我国成为继美国、日本之后少数几个掌握先进的集成电路设计技术的国家。

由中国科学院院士王守觉、中国工程院院士许居衍为正副主任，国内微电子领域的龙头企业华虹、华晶、贝岭的专家组成的7人鉴定委员会，经过认真严格的审核考察后一致认为，上海交大在深亚微米集成电路设计技术研究中所包含的器件建模、延时网络等十几项设计技术达到国际先进水平，其中在0．25μm档级深亚微米芯片设计技术中“逻辑综合与物理设计一体化理论”属国际首创。上海交大大规模集成电路研究所还向专家们提交了运用该项技术开发的相关芯片，验证了深亚微米集成电路设计技术的可行性。

从20世纪90年代中后期开始，集成电路向着系统集成的目标飞速发展，并要求芯片特征尺寸进入0．35μm以下的深亚微米档级，于是，深亚微米芯片设计成为国际上芯片设计的里程碑，成为世界微电子领域技术竞争的焦点。在这一领域，我国原先的设计技术落后于发达国家约15年之多。上海交大大规模集成电路研究所所长林争辉教授带领平均年龄36岁、36位博士和博士生组成的科研团队，经过三年多时间攻关，不仅突破了0．35μm以下的深亚微米集成电路设计技术的难度，而且跨入了0．25μm深亚微米集成电路设计技术的高地，使我国成为继美国、日本之后少数几个掌握先进的集成电路设计技术的国家。

林争辉教授介绍说：深亚微米集成电路设计技术可直接应用于通讯、存储器、微处理器、数字家电、多媒体等广泛领域，我们设计的0．25μm深亚微米集成电路制成指甲盖大小的芯片后，其中容纳的元器件可达500万个以上。目前，我国集成电路中的高档产品全部依赖进口，约占整个产业的80％，而交大深亚微米设计技术的成功将改变这种状况，该项技术产业化之后，不仅产品价格将至少比进口产品便宜一半以上，也将使中国微电子产业拥有了与国际竞争的砝码和实力。

小资料

用类似于平面印刷术的方法，在半导体硅晶片上，经多层微电子精密加工，制作出千万个晶体管半导体器件，并在硅晶片上通过多层连线把它们连接成一个完整的电子电路，称之为半导体集成电路。

世界集成电路水平已由微米级（1．0μm）、亚微米级（1．0μm－0．35μm）进入到深亚微米级（0．35μm以下）技术开发阶段，当前以0．35－0．18微米CMOS技术为主流的微电子技术属深亚微米主流技术，可以把一个完整的电子系统集成到一个芯片上，规模可达1－10亿晶体管。利用该项技术，可以制作256MB到GB级储存器、800MHz以上的CPU、图像解压片、移动通信手机等。